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科星电机工程中心
2026 年度先进封装高密排产方案公布

高可靠首页|J9国际集团中国官网网站
微米级引线互连与车规测试平台

提供从晶圆减薄划片、金铜线高精键合、倒装焊FC到成品FT电性能三温全检的一站式首页|J9国际集团中国官网网站交付。全工序遵循ISO 26262与AEC-Q100严苛标准,有效解决大功率IGBT、SiC模块、高速计算MCU及射频前端模组在高频散热、引脚共面度与长期热阻疲劳方面的量产工程瓶颈。

±2.5 μm
固晶贴装精度
99.88%
车规量产良率
-40~150℃
ATE三温测试窗
当期高导热封测产线窗口 排期剩余 12%
03天14时 下批打样启动倒计时
封装主导形式 QFN64 / BGA256 / WLCSP
测试机台匹配 Chroma 3650 / Teradyne J750
打样交付周期 工程样片 72 小时出样
锁定样片打样测试名额

微纳级互连打线与倒装工艺

装配超细间距球形金线及铜线键合设备,Pad中心距低至35μm。倒装焊搭配真空回流焊工艺,全面降低空洞率至5%以下,大幅改善热阻抗。

高并测数全温域电性测试

晶圆探针台搭配自研悬臂梁与垂直探针卡,完成8/16并测高吞吐CP筛查;成品FT测试配备自动三温分选机,精准捕获瞬态热漂移缺陷。

车规级应力与零缺陷追溯

落实高加速寿命试验(HAST)、高温工作寿命(HTOL)及SAT超声扫描与3D X-Ray透视检测,全流程单颗晶圆MES码可追溯。

Process Matrix

全维度首页|J9国际集团中国官网网站工艺矩阵

满足从传统中小功率器件到先进计算核心的多形态封装需求,提供基板设计、引线键合、模塑封装与定制化测试治具开发的一体化产线支持。

QFN / DFN 系列

高导热引线框架封装

超薄侧边润湿焊盘设计,底面大面积外露散热垫,极佳抑制寄生电感,专用于车载电源管理芯片及电机驱动MOS。

线间距极限:45 μm Wire Pitch
典型尺寸:2x2mm 至 12x12mm
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BGA / FBGA 系列

球栅阵列高密度封装

多层BT有机树脂基板,支持锡球间距低至0.4mm,有效应对高引脚数MCU、DSP及工控主控芯片的高速信号完整性。

锡球矩阵:高达 1024 焊球
翘曲控制:< 0.08 mm 全温段
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SiP 系统级封装

多芯片异构集成微系统

整合逻辑芯片、存储器颗粒与微型被动无源元器件,支持三维垂直堆叠(3D Stacking)与腔体电磁屏蔽涂层工艺。

组件密集度:> 25 Components/cm²
屏蔽效能:EMI Shielding > 45dB
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Flip Chip 倒装焊

微凸点倒装芯片封装

铜柱凸块(Cu Pillar Bump)或锡铅共晶凸点,消减引线电感效应,专为毫米波雷达芯片与高速光通信芯片量身调优。

凸点间距:Min 80 μm Bump Pitch
空洞比率:底部填充胶空洞 < 3%
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WLCSP 晶圆级封测

真正芯片尺寸级封装

在晶圆原片表面直接完成再布线层(RDL)与植球工序,封装尺寸等同于晶粒本身,广泛用于超轻薄穿戴芯片与MEMS传感器。

晶圆对应:8 英寸 / 12 英寸
厚度极值:晶圆减薄至 100 μm
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功率模块定制封测

宽禁带半导体功率封测

采用纳米银烧结(Silver Sintering)与厚铜带键合替代传统铝线,应对SiC碳化硅及GaN氮化镓在200℃高结温下的可靠性承载。

绝缘耐压:高达 5000V AC 隔离
热导率表现:接合层导热率 > 150 W/mK
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Recent Capabilities

产线最新发布与高阶技术突破

持续升级的探针治具加工中心与多通道数字机台,确保复杂信号芯片在极短周期内建立量产测试工程模型。

首页|J9国际集团中国官网网站全自动测试产线
新机台上线

12英寸全自动超低温垂直探针CP量产机组

针卡针尖磨损在线光学校准,实现-40℃环境下稳定无接触式电性筛查,良率漂移低于0.02%。

01

厚铜引线框架高压隔离封装工艺量产

针对新能源乘用车主驱逆变器控制IC,完成爬电距离拓展设计,顺利通过1500V耐压与连续500小时高温高湿偏压测试(H3TRB)。

02

射频前端PA模组集成测试程序交付

基于高频矢量网络分析仪开发自动测试矢量,精准捕捉S参数、杂散抑制度及谐波功率,大幅压缩单颗器件测试工时至80毫秒。

03

微细间距铜线键合无损伤打火球技术

采用高纯氮氢混合保护气体,优化FAB球径离散度至±1.2μm,杜绝低介电常数(Low-K)脆性介质层开裂隐患。

Deep Testing Solution

芯片电性测试专题:CP晶圆测试与FT成品测试

严格区分流片后端各个关键物理节点的测试边界,通过探针卡与测试插座的精密布局,前置拦截失效芯片,保障客户综合良品率。

Wafer Probe Testing

晶圆级CP测试(Circuit Probing)

在晶圆未切片状态下,利用精密探针台将探针卡针尖对准晶粒铝垫(Pad),施加激励电平。及早剔除缺陷Die,避免后续封装工序的无效材料损耗。

适配晶圆规格:6寸、8寸、12寸 Wafer
探针技术路线:Cobra 垂直探针 / MEMS 弹簧探针
晶粒定位精度:Step 精度 < 1 μm
电子墨点与Mapping:SEC/GEM 协议在线图谱回传
提交CP探针卡开发需求
Final Testing Process

成品级FT测试(Final Test)

芯片经过引线键合与塑封固化之后,模拟真实板级运行工况对管脚实施全面电气参数测试。包含开短路、静态工作电流、动态逻辑响应与射频增益指标。

温控测试范围:-40℃ ~ +150℃ 恒温循环
自动化分选机构:重力式 / 平放平取式(Pick & Place)
最高通道时钟:高达 800 MHz ATE 数字向量
可靠性筛查支持:AEC-Q100 Grade 0 / Grade 1
索取FT测试程序迁移指南
Verified Parameters

工程验证关键技术指标与产线标准

以数据定义半导体封测工艺边界。科星电机封测产线各项物理指标均已通过第三方法定计量校准,具备极高重复性与量产稳定性。

晶圆划切崩缺控制
< 8 μm
双轴精密金刚石砂轮
金丝键合拉力极限
> 6.5 g
0.8 mil 高纯度金丝标准
塑封体内部空洞率
< 2.0%
真空加压传递注塑机台
测试系统 UPH 产能
18,000+
多管脚高速分选系统
引脚共面度允差
± 0.05 mm
全自动激光光学检测
热阻降低系数 (Rthjc)
- 35%
定制外露散热底座技术
洁净室微粒管控
Class 100
ISO 14644-1 严格达标
防静电等级保护
± 2000V
人体模型(HBM)规范
Target Assemblies

典型量产封装体与测试治具

标准库涵盖数百种成型模具,大幅节省客户前期NRE开模成本与试产周期,支持多样化脚位排列与电气规范。

电源管理首页|J9国际集团中国官网网站实物
PMIC & PowerMOS

电源管理高功率封测体

优化大电流路径寄生电阻,底部高附着焊膏贴片,支持大电流脉冲FT测试,保障汽车电控与手机快充芯片的高能效转换。

标准交期:5-7 工作日 调取封装尺寸表
高频射频芯片倒装测试结构
RF Front-End IC

微波高频射频封装体

低介电常数基板与超短键合弧度设计,精确控制射频通路阻抗50Ω匹配,配套矢量微波测试腔体,降低频偏损耗。

标准交期:7-10 工作日 调取封装尺寸表
MCU运算核心BGA测试基板
MCU & AIoT Processor

智能物联多引脚封装体

支持LQFP与BGA多种封装形式,配置多级FLASH烧录与自检BIST算法测试,单机日产能突破10万只成品测试出货。

标准交期:3-5 工作日 调取封装尺寸表
Manufacturing Philosophy

精密半导体的零缺陷制造法则

科星电机坚持全闭环数据驱动质量管理。从来料晶圆的红外厚度探伤,到打线焊点的无损剪切力测试,再到模塑后的声学断层扫描,我们将制造公差严控在物理极限之内,杜绝任何隐性早期失效流向终端。

划片刀痕残余应力控制:< 5 MPa
线弧高度离散度(Loop Height):± 3 μm
高温烘烤脱湿(Bake Out):JEDEC J-STD-033
ESD 防护地线阻抗:< 1.0 Ω
芯片微组装与探针检测微距特写
Engineering Cases

关键应用场景首页|J9国际集团中国官网网站实施案例

协同国内外芯片设计Fabless公司与集成组件制造商,解决复杂物理边界条件下的测试程序开发与先进封装工程落地方案。

汽车电机驱动首页|J9国际集团中国官网网站案例
车规级三电 交付量:850万颗

车载智能主驱栅极驱动芯片 QFN68 封测工程

针对高共模瞬态抗扰度(CMTI)要求,采用定制厚引线框架并结合双线并联键合降低寄生电感,成品通过AEC-Q100 Grade 1苛刻标准,测试漏电精度优于10nA。

工业自动化主控芯片测试案例
工业机器人控制 交付量:320万颗

实时多轴伺服运算核心 FBGA289 高密度量产方案

在0.65mm焊球间距下实施多层基板高精密对位焊接,FT测试阶段引入高低温瞬态时钟抖动分析算法,实现零漏检率与99.91%高稳定量产良率。

Technical Insights

半导体封装测试行业动态与技术简报

追踪后摩尔定律时代异构集成发展脉络,深度拆解晶圆测试探针设计、热应力疲劳仿真及先进基板工艺难点。

先进封装前沿

Chiplet芯粒互连与高密度基板集成测试架构解析

探讨异构集成架构下已知良好晶粒(KGD)的高测试覆盖率策略,如何通过微凸点接触探针卡在晶圆阶段实现全功能向量跑通。

索取技术简报 →
测试工程方法

车规芯片三温测试过程中的热迟滞补偿模型

深入分析芯片封装体在大功率自发热与外界温箱切换时的结温分布,提出一种动态补偿算法,有效降低极限低温下的误测淘汰率。

索取技术简报 →
材料与可靠性

超薄晶圆背面研磨(Back Grinding)残余损伤化学抛光

针对100μm以下厚度硅片在划片裂片中的微裂纹风险,结合湿法蚀刻与化学机械抛光(CMP),实现晶粒抗弯曲强度提升40%以上。

索取技术简报 →
12 亿+
年度封测出货总量
99.88%
量产平均良品率
72 小时
工程快件打样出样
60+
资深半导体测试工程师

芯片设计研发团队合作评价

★★★★★

“科星电机团队在电源管理QFN多芯片模组封装上展现出极高的专业水准,底面散热焊盘的空洞率控制完全达到了我们车规客户的标准,交期始终如一非常稳定。”

模拟芯片设计公司 · 封测运营总监
★★★★★

“从CP探针卡设计到FT三温测试机台程序的平稳移植,仅用了4个工作日即完成全通道调试,协助我们在新一代工业通信SoC流片后抢占了关键市场先机。”

通信芯片独角兽 · 硬件架构负责人
★★★★★

“他们产线的洁净度与AEC-Q100全套应力筛选设备让我们彻底放下了心,X-Ray断层扫描报告极其详尽,是值得长期托付核心晶圆测试的标杆工程团队。”

新能源电机控制方案商 · 品质副总裁
Project Consultation

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请提供初步晶圆制程、目标封装形式与月度测试吞吐需求。我们的主任测试工程师将在2小时内与您对接保密协议(NDA)并评估工程排期。

★ 全流程签署商业保密协议(NDA)· 严格保护客户知识产权与GDSII版图数据安全